电磁炉中的igbt是什么元件（电磁炉igbt电路图）

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电磁炉电子元件IGBT是什么东西

电磁炉中的IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种重要的功率半导体器件，通常用于控制电磁炉的电源。IGBT的作用是通过控制电流的开关来产生高频的交流电磁场，从而加热锅具底部。

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

电磁炉中的IGBT通常代表“绝缘栅双极型晶体管”（Insulated Gate Bipolar Transistor），这是一种用于电磁炉电子控制电路的半导体器件。IGBT可用于控制电磁炉的加热功率，实现温度调节和加热操作。

绝缘栅双极晶体管(IusulatedGateBipolarTransistor)简称IGBT，是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。

IGBT的全称：绝缘栅双极型场效应晶体管，是场效应管的一种。但电磁炉的这种管子很特殊，许多管子都是专为电磁炉而设计。电磁炉专用的IGBT管内部还带有阻尼二极管，所以与普通的场效应管还是有区别。

IGBT叫绝缘栅双极晶体管。IGBT可以简单理解成一种高性能的开关管，在很多需要变流的场所使用，比如变频器，电源电路等，一般电机控制环境使用比较多，讲白了，就是一个可以快速开启和断开电压电流的电子开关。

IGBT的作用：电流密度大，是MOSFET的数十倍。输入阻抗高，栅驱动功率极小，驱动电路简单。低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下，其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。

电磁炉中的IGBT（绝缘栅双极晶体管）是电磁炉的一个重要组成部分，主要负责在供电频率下快速打开和关闭电源，从而产生变化的磁场。

流，使锅具快速生热。电压谐振变换器是主电路的核心，其作用是使直流电逆变为高频交流电，以满足感应加热的要求。电压谐振变换器是低开关损耗的零电压.型(ZVS)变换器，主开关元件是功率晶体管，常称为功率开关管。

电磁炉因为是大电流工作，IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

从IGBT的下述中可看出，它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷，就是于高压大电流工作时，导通电阻大，器件发热严重，输出效率下降。IGBT的作用：电流密度大，是MOSFET的数十倍。输入阻抗高，栅驱动功率极小，驱动电路简单。

为高频交流电，以满足感应加热的要求。电压谐振变换器是低开关损耗的零电压.型(ZVS)变换器，主开关元件是功率晶体管，常称为功率开关管。目前，采用绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

H20R1353可以用H20R1203代换，H20R1203参数：1200V20A48Ⅴ；H20R1353参数：1350Ⅴ20A6Ⅴ。

IGBT可以简单理解成一种高性能的开关管，在很多需要变流的场所使用，比如变频器，电源电路等，一般电机控制环境使用比较多，讲白了，就是一个可以快速开启和断开电压电流的电子开关。

IGBT的工作原理？由图1看出IGBT包含P+/N-/P/N+四层结构，可以认为IGBT是由一个MOSFET和一个PNP三极管组成，由栅极控制的MOSFET来驱动PNP晶体管；也可以把它看成是由一个VDMOS和一个PN二极管组成。

H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。

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